教學大綱與進度

課程基本資料：

學年期	課號	課程名稱	階段	學分	時數	修	教師	班級	人	撤	備註
111-2	316189	矽奈米元件物理	1	3.0	3	★	徐曉萱	材資四甲	9	0	材資四甲和材料所合開

教學大綱與進度：

教師姓名	徐曉萱　教師諮商時間(Office Hours)
Email	hhhsu@mail.ntut.edu.tw
最後更新時間	2023-01-28 15:11:39
課程大綱	本課程介紹現代矽奈米之元件物理與其操作原理，課程主題涵蓋金屬/半導體接面、能帶圖、金氧半電容元件、金氧半場效電晶體、金氧半場效電晶體之微縮、先進金氧半場效電晶體與其製程技術。 This course provides an introduction to the fundamental physics and operation principles of silicon-based nano devices in modern electronics. This class will cover topics include metal/semiconductor junctions, energy band diagrams, MOS capacitors, MOS field-effect transistors (MOSFETs). MOSFET scaling, modern MOSFETs, and future transistor technologies will also be discussed.
課程進度	1. P-N junction and P-N diode 2.Metal-Semiconductor Contacts and Schottky Diodes 3. MOS Capacitors 4. Fundamentals of MOSFET 5. Nonideal MOS 6. MOSFETs in ICs--scaling, leakage, and other topics 7. Modern FET devices and Semiconductor Processing
評量方式與標準	Midterm Exam: 35% Final Exam: 35 % Class Participation: 30% (Homework, Classwork, Attendance)
使用教材、參考書目或其他	【遵守智慧財產權觀念，請使用正版教科書，不得使用非法影印教科書】 使用外文原文書：是 1.Fundamentals of Modern VLSI Devices, Yuan Taur and TaK H. Ning, ISBN：9781107635715 2.Semiconductor Physics and Devices:Basic Principles, 4e, Donald A. Neamen, ISBN：9780073529585 3.Lecture notes/handouts
課程諮詢管道	Contact email: hhhsu@mail.ntut.edu.tw
課程對應SDGs指標
備註	如疫情嚴峻將採遠距上課，教材放北科i學園。使用 Microsoft Team 提供之課程連結 (學號@cc.ntut.edu.tw 登入 Microsoft Teams，密碼同nportal入口網頁密碼。) Classes are given virtually via Microsoft Teams if an epidemic happens. My email: hhhsu@mail.ntut.edu.tw