教學大綱與進度

課程基本資料：

學年期	課號	課程名稱	階段	學分	時數	修	教師	班級	人	撤	備註
109-2	282295	光電半導體製造	1	3.0	3	★	王子建	光電四	8	0	系所合開,擬抵研究所不列大學畢業學分者請選研究所課

教學大綱與進度：

教師姓名	王子建
Email	f10939@ntut.edu.tw
最後更新時間	2020-12-23 16:09:17
課程大綱	先修課程：負責教授同意。 1.單晶的生長 2.磊晶技術 3.擴散與離子植入 4.乾式及溫式蝕刻 5.化學蒸氣沈積法 6.金屬薄膜技術 7.光電元件製程 8.元件特性量測與分析
課程進度	第一週 製程技術簡介 第二週 材料性質：晶格結構、晶格 面標示、方向效應 第三週 材料缺陷與其電子性質 第四週 晶體成長 第五週 雜質摻雜 第六週 區域處理製程 第七週 磊晶原理 第八週 分子束磊晶 第九週 期中報告 第十週 氣相磊晶、液相磊晶 第十一週 熱蒸鍍、 第十二週 電子束蒸鍍 第十三週 濺鍍 第十四週 離子擴散 第十五週 離子佈植 第十六週 微影術 第十七週 期末考試 第十八週 期末考週
評量方式與標準	期中報告 40%、期末考試 40%、作業及平時考核 20%
使用教材、參考書目或其他	【遵守智慧財產權觀念，請使用正版教科書，不得使用非法影印教科書】 使用外文原文書：是 1. Sorab K. Ghandhi, VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide, Wiley Interscience. 2. V. Swaminathan and A. T. Macrander, Materials Aspects of GaAs and InP Base Structure, Prentice Hall. 3. Ralph Williams, Modern GaAs Processing Methods, Artech House
課程諮詢管道
備註