教學大綱與進度

課程基本資料：

學年期	課號	課程名稱	階段	學分	時數	修	教師	班級	人	撤	備註
96-1	102273	半導體製造技術	1	3.0	3	★	余合興	四電四甲 四電四乙 二電四	9	0	修課人數限50人

教學大綱與進度：

教師姓名	余合興
Email	hhyee@ntut.edu.tw
最後更新時間	2007-11-12 16:20:18
課程大綱	1.雙極性電晶體 2.蕭特基接面 3.MOS結構 4.MOSFETS 5.CMOS電路及 製程 6.各種IC技術
課程進度	(1) BJT雙極性接面電晶體(基本工作原理與重要參數) (2) BJT雙極性接面電晶體(載體在電晶體的空間分佈) (3) BJT雙極性接面電晶體(電流電壓特性分析) (4) BJT雙極性接面電晶體(Early effect、Emitter crowding effect) (5) BJT雙極性接面電晶體(累崩崩潰) (6) MOS結構(MOS工作模式與功函數差異) (7) MOS結構(VTH計算、CV曲線) (8) MOS結構(絕緣層電荷效應) (9) 期中考 (10) MOSFET(工作特性) (11) MOSFET(VTH效應、微小幾何效應) (12) CMOS電晶體(反向器、latch up 拴住現象) (13) CMOS電晶體(功率分析、BIMOS) (14) CMOS電路與製程(COMS電路分析) (15) CMOS電路與製程(尖端先進COMS積體電路製程流程) (16) IC製程技術(絕緣技術) (17) IC製程技術(連接導線技術) (18) 期末考
評量方式與標準	平時考 25% 期中考 25% 期末考 40% 其他平時考核 10%
使用教材、參考書目或其他	【遵守智慧財產權觀念，請使用正版教科書，不得使用非法影印教科書】 使用外文原文書：
課程諮詢管道
課程對應SDGs指標
備註