教學大綱與進度

課程基本資料：

學年期	課號	課程名稱	階段	學分	時數	修	教師	班級	人	撤	備註
105-1	217609	半導體元件及物理	1	3.0	3	★	陳隆建	光電四	14	0	億光1035,擬抵研究所不列大學畢業學分者,請選研究所課

教學大綱與進度：

教師姓名	陳隆建
Email	ocean@ntut.edu.tw
最後更新時間	2016-08-12 16:18:33
課程大綱	探討PN接面之特性，短通道效應，表通道技術原理，費米能階等基本元件物理，及0.25-0.18微米以下需明瞭元件物理知識。
課程進度	第一週/第二週 第一章 材料概論 1.1 晶體性質 1.2 能帶 1.3 半導體材料 1.4 晶格匹配與材料的選擇 第三週/第四週 第二章 P-N接面理論 2.1 熱平衡狀態 2.2 P-N接面 2.3 空乏區 第五週/第六週 第三章 金屬-半導體接觸理論 3.1 載子的傳輸方式 3.2 形成歐姆接觸的方法 3.3 傳輸線模型 第七週/第八週 第四章 晶體成長 4.1 單晶成長 4.2 磊晶成長 4.3 晶體量測 第九週 期中考 第十週/第十一週 第五章 發光二極體之製程技術 5.1 金屬化製程 5.2 微影製程 5.3 化學氣相沉積製程 5.4 擴散製程 5.5 蝕刻製程 5.6 研磨製程 5.7 切割製程 5.8 熱處理 第十二週/第十三週 第六章 發光二極體之種類與製作方式 6.1 GaP系發光二極體 6.2 GaAsP系發光二極體 6.3 AlGaAs系發光二極體 6.4 AlInGaP系發光二極體 6.5 GaN系發光二極體 6.6 光色與結構 第十四週/第十五週 第七章 發光二極體之特性分析 7.1 光譜與亮度 7.2 電流-電壓特性 7.3 亮度-電流特性 第十六週/第十七週 第八章 發光二極體之未來發展方向 第九章 其他光電元件 9.1 光偵測器 9.2 太陽能電池 9.3 雷射二極體 第十八週 期末考
評量方式與標準	1. 作業 40 % 2. 期末考 60 %
使用教材、參考書目或其他	【遵守智慧財產權觀念，請使用正版教科書，不得使用非法影印教科書】 使用外文原文書：否 1. S. M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, 2nd Ed. 2. Ben G. Streetman/Sanjay Kumar Banerjee, Solid State Electronic Devices, 6th Ed. 3. Donald A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices, 3nd ED. 4. 陳隆建, 發光二極體之原理與製程
課程諮詢管道
備註